随着LED光源向高功率、集成化方向发展,散热基板对于提高器件的发光效率、降低结温、提高器件的可靠度和寿命起着十分重要的作用。本文选择厚度为0.4 mm的氮化铝(AlN)作为封装基板材料,结合磁控溅射镀膜、平面丝网印刷和光刻等半导体工艺技术,在AlN基板表面完成线路设计并增加反光层。通过力学性能测试、表面反光层的反射率表征和光源老化测试,结果显示在1000小时老化后,AlN陶瓷基板上封装的光源在色温漂移、发光效率衰减和可靠性等方面都明显要好于直接将芯片绑定金属基板上的光源。同时,从晶格失配与热失配的角度分析了AlN陶瓷基板在高功率LED光源封装中的优势。
研究了以氮化铝为基板的倒扣封装的工艺。详细比较了氮化铝的各种金属化工艺。分别研究化学镀与激光诱导淀积实现金属化的方法。测量表明两种方法制备的金属层与氮化铝的粘附力均大于 10 MPa。同时对这两种方法的特点与适用范围进行概述
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