单壁碳纳米管具有优异的电子学特性,是制备新一代高性能集成电路的重要材料.碳纳米管芯片之路存在诸多挑战,包括直径和手性的控制生长方法、金属性和半导体性单壁碳纳米管的分离方法、器件加工与集成方法等.这些课题从本质上讲大多属于化学问题,因此碳纳米管芯片研究为化学家们提供了新的机遇与挑战.过去10年来,我们围绕单壁碳纳米管的轴向能带工程这一研究思路,开展了一系列碳纳米管芯片的基础探索工作,发展了若干有效的单壁碳纳米管局域能带的调控方法,包括温度阶跃生长法、脉冲供料生长法、基底调控法以及形变调控法等.本文系统地阐述了这些局域能带调控方法,为使读者对该领域的研究进展有一个较为全面的了解,文中对其他课题组开展的代表性工作也给予了综述性介绍.
碳纳米管看及其产业化 姓名：刘佳 班级：化学二班 学号： 2008600213 在 1991 年日本 NEC公司基础研究实验室的电子显 微镜 专家饭岛 (Iijima) 在高 分辨透 射电子 显微镜 下检验 石墨电 弧设 备中产 生的球 状碳分 子时，意外 发现了由管状的同轴纳米管组成 的碳分子 ,这就 是现在被称作的 “ Carbon nanotube”，即碳 纳米管 ,又名巴基 管。 1993 年。 S.Iijima 等和 DS。 Bethune 等同时 报道了采用电弧法，在石 墨电极中添加 一定的催化剂，可以得到仅仅具 有一层管壁的碳纳米管，即 单壁碳纳米管 产物。 1997 年，AC.Dillon 等报道了单壁碳纳米管的 中空管可储存和稳定氢 分子，引起广 泛的关注。相关的实验研究和理 论计算也相继展开。初步结 果表明：碳纳 米管自身重量轻，具有中空的结 构，可以作为储存氢气的优
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