二氧化硅掺杂对黑色氧化铝陶瓷的改性
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用超微细氧化铝(Al2O3),二氧化硅(SiO2)粉体及适量的过渡金属氧化物,用固相反应法在1 350 ℃空气中烧结得到了致密的黑色Al2O3陶瓷.研究了SiO2掺杂对陶瓷显微结构和电性能的影响.实验表明:在黑色Al2O3陶瓷中,SiO2是一种较好的掺杂剂,它不仅可以降低烧结温度,使陶瓷晶粒细小均匀,同时还可以改善材料的电气性能,使之满足用作晶体振荡器件、光电器件及集成电路器件等的基板及避光封装外壳的要求.
纯二氧化硅芯光纤的损耗分析
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分析了纯二氧化硅芯光纤的结构和性能之间的关系,并从制备纯二氧化硅芯光纤的工艺技术角度出发,讨论了如何降低纯二氧化硅芯光纤的损耗。通过对实际拉制的纯二氧化硅芯光纤的测试,证明了这种方法是具有明显效果的。
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