《异质结原理与器件》 期末论文 题 目 异质结理论与半导体激光器的发展现状与趋势 班 级 光信息 1102 姓 名 杨星 学 号 20112827 完成日期 2013 年 12月 9日 成 绩 摘要：本文介绍了有关异质结和半导体激光器的技术及其研究进展 , 首先简要介绍了异质结器件的历史发展过程 ,第二部分介绍了半导体 激光器发展过程与应用 ,最终以半导体激光器为例 ,展望激光器和异 质结技术发展方向。 关键词：异质结，激光器 引言： 半导体的核心是 pn 结,pn 结是在一块半导体中用掺杂的办法做 成两个导电类型不同的部分。一般 pn 结的两边是用同一种材料做成 的 ,也称为“ 同质结”。如果结两边是用不同的材料制成 ,就称为“异 质结”。异质结相对于同质结来说有许多优良的特性，特别是在半导 体激光器方面有的得天独厚的优势。 一、异质
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