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更新时间:2026.04.11
日亚LED光源系列简介

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日亚系列产品简介 一、183系列 日亚照明用 LED基本产品。 包括高性价比的 3芯产品和高光效大功率的 6芯产品。 根据用途不同,改变芯片连接方式,提供低电压( 3V) 芯片并联产品和高电压( 9V/18V),芯片串联产品。 6.0×5.0×1.35mm 白色高光效产品(适用于路灯,重视光效的照明产品等) 型号 色温 光通量 光效 *额定电流 **5000K 额定电流 (最大额定电流) 正向电压 Typ. *额定电流 备注 规格书 英文 NS3W183A 4600K-9000K 125lm 110lm/W 350mA (400mA) 3.3V 3 Chips 并联 暂无 NS6W183A 4600K-9000K 135lm 130lm/W 350mA (800mA) 3.0V 6 Chips 并联 暂无 白色高光效高电压产品(适用于筒灯,球泡灯等) 型号 色温 光通量 光效

低碳贝氏体钢焊接热影响区中不同亚区的组织特征与韧性

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根据焊接热影响区中不同亚区的热循环特征对低碳贝氏体钢进行了焊接热模拟实验.采用示波器载荷冲击试验机检测焊接热模拟试样的冲击韧性,结合OM,SEM,TEM以及EBSD技术对模拟显微组织的观察,分析了不同亚区的显微组织特征与冲击韧性之间的关系.结果表明,当冷却时间t_(8/5)=30 s时,各亚区的裂纹形核功相差并不太大,其值在40—70J之间.细晶区(FGHAZ)具有良好的止裂能力,裂纹扩展功高达122 J;而部分相变区(ICHAZ)和粗晶区(CGHAZ)的裂纹扩展功较小,分别为51.8和17 J.随t_(8/5)的延长,各亚区的裂纹形核功和扩展功均下降,其中CGHAZ的裂纹形核功和FGHAZ的裂纹扩展功的下降最为显著.不同冷却速率下,M-A组元尺寸和形态的变化是影响裂纹形核功的重要因素.对于裂纹扩展功来说,高冷却速率下,具有高密度大角晶界的FGHAZ具有良好的抗裂纹迅速扩展的能力,但当冷却速率降低,由于原始奥氏体晶粒长大而使裂纹扩展功下降.ICHAZ有效晶粒尺寸不均匀,并随冷却速率的降低,晶粒尺寸明显增大,裂纹扩展功下降.而在CGHAZ中原始奥氏体晶粒显著粗化,大角晶界密度的下降导致裂纹扩展功降低;随冷却速率的降低,原始奥氏体晶粒内的取向变得更为单一,裂纹扩展功进一步降低.

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