H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O为半导体芯片生产过程中三种去除硅片背面铜污染的化学清洗液。在单片湿法清洗机上采用这三种化学液对直径300 mm具有类似于实际生产中铜污染的硅片进行了清洗,结果发现H2SO4/H2O2/H2O在清洗过程中不对硅片表面的Si3N4膜产生损伤,但铜污染的去除效率较低;HNO3/HF和HF/H2O2/H2O对Si3N4膜产生微量刻蚀,从而去除扩散至硅片内部铜污染,从而显示出较佳的去除效果。通过比较HF/H2O2/H2O中HF体积分数与Si3N4膜刻蚀深度和清洗后铜原子浓度,HF的体积分数为1.5%时,可以使硅片表面铜原子浓度降至1010cm-2以下,并且Si3N4膜厚的损失小于1 nm。
时代发展对各种资源需求的数量正在不断的增加。在进行金属资源的开采过程中，通过合理的开采方式将有助于开采过程中对环境的保护以及资源的开发。面对当前社会的发展趋势，为了合理有效的促进国家的建设以及发展，通过大力开采相关的金属资源将其应用在实际的基础设施建设过程中是十分重要的。面对失量金属的使用，金属铜在我国的应用范围也得到了空前的扩大。在金属铜资源的使用过程中，由于一些企业不能够良好的对其进行处理，最终造成大量含铜废水的的出现，如果任由这些废水拍到江河湖海之中将对人们的生活环境造成影响．面对铜污染所造成的影响．使用水泥进行应急处理将是一项好的选择。
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