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更新时间:2026.11.07
紫外光电探测器研制

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采用宽带隙半导体材料SiC,进行紫外光电探测器的制备。基于机械性能和化学稳定性考虑,增透抗反膜的制备采用SiO2+Al2O3工艺,同时对其表面钝化层和增透抗反膜工艺进行了研究讨论。

肖特基型氮化镓紫外光电探测器性能

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最小标准模型(MSM)结构的光电探测器主要分为光导型和肖特基型两种。制备得到了肖特基型的氮化镓(GaN)MSM结构紫外光电探测器,采用这种结构的器件主要是因为其暗电流低、响应时间快、响应度大、寄生电容小等优点。MSM形状的叉指电极是通过传统的紫外光刻和湿法刻蚀得到的,并采用Au作为金属电极。得到的肖特基型GaN紫外光电探测器的暗电流在1 V偏压下为3.5 nA,器件在1 V偏压下的最大响应度值出现在362 nm处,大小为0.12 A/W,器件的上升时间小于10 ns,下降时间为210 ns。并对器件响应时间的影响因素进行了深入的分析。

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