通过掺杂La2O3,PbO和ZnO,在空气中烧结制备得到了SrTiO3基压敏电阻陶瓷。研究了掺杂剂对该种陶瓷相结构、形貌和电性能的影响,并对在氧化性气氛中制备SrTiO3基半导体陶瓷的方法进行了探讨。结果表明,所制压敏电阻具有高的相对介电常数(εr=(1.51～2.78)×104)和良好的非线性J-E特性(α=5.5～7.2)。在氧化性气氛中实现SrTiO3半导化的关键是PbO掺杂能在SrTiO3中形成活性点,从而促进稀土离子在烧结中取代A位产生施主缺陷。
通过掺杂La2O3,PbO和ZnO,在空气中烧结制备得到了SrTiO3基压敏电阻陶瓷。研究了掺杂剂对该种陶瓷相结构、形貌和电性能的影响,并对在氧化性气氛中制备SrTiO3基半导体陶瓷的方法进行了探讨。结果表明,所制压敏电阻具有高的相对介电常数(εr=(1.51～2.78)×104)和良好的非线性J-E特性(α=5.5～7.2)。在氧化性气氛中实现SrTiO3半导化的关键是PbO掺杂能在SrTiO3中形成活性点,从而促进稀土离子在烧结中取代A位产生施主缺陷。
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