IGBT 并联技术技术详解 IGBT 并联均流问题 影响静态均流的因素 1、并联 IGBT 的直流母 线侧连接点的电阻分量，因 此需要尽量对称； 2、 IGBT 芯片的 Vce(sat) 和二极管芯片的 VF的差异，因此尽量采取同一批次的产品。 3、 IGBT 模块所处的温度差异，设计机械结构及风道时需要考虑； 4、 IGBT 模块所处的磁场差异； 5、栅极电压 Vge 的差异。 影响动态均流的因素 1、 IGBT 模块的开通门槛电压 VGEth 的差异， VGEth 越高， IGBT 开通时刻越晚， 不同模块会有差异； 2、每个并联的 IGBT 模块的直流母线杂散电感 L 的差异； 3、门极电压 Vge 的差异； 4、门极回路中的杂散电感量的差异； 5、 IGBT 模块所处温度的差异； 6、 IGBT 模块所处的磁场的差异。 IGBT 芯片温度对均流的影响 IGBT 芯片的温度对于动态均
国际整流器公司推出全新 MTP 隔离式开关模块系列,专为大电流工业电源而设计,适用于高频弧焊机及不间断电源。它以氮化铝陶瓷层进行绝缘,在结点与外壳间发挥更佳导热性能。该绝缘层的热传导性(冷却能力)比用于同类器件的氧化铝基板高出7倍之多。新模块系列的额定电压为600 V 和1200 V,把高速 IGBT 和优化的二极管结合在同一封装内,有助于节省空间和降低组装成本,可取代分立式解决方案。在该系列器件中,50MT060ULS 是一款全绝缘低侧斩波模块,内含一个 IR 超快 IGBT 和一个具超软逆恢复电流特性的 HEXFRED 二极管;50MTOboWH 是一款全绝缘半桥式模式,双 IGBT 设计可有效控制功率耗散和电流分配。此外,IR 还提供两款1200 V MTP 开关模块:全绝缘的20 MT120 UF 全桥式及40 MT120 UH 半桥式模块。它们可直接连接到大多数三相系统的直流总线。
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