从基材性能告诉你氮化铝和氧化铝陶瓷基 板工艺有什么不同 氮化铝陶瓷基板和氧化铝陶瓷基板都同属于陶瓷基板， 他们的制作工艺大致是一样 的，都有都才可以采用薄膜工艺和厚膜工艺， DBC工艺、 HTCC工艺和 LTCC工艺，那 么不同的什么呢？ 氮化铝和氧化铝陶瓷基板工艺的不同主要是因为基材的性能和结构决定了， 他们 烧结温度的不同。 氮化铝陶瓷基板的结构和性能原理： 1、氮化铝陶瓷 (Aluminium Nitride Ceramic) 是以氮化铝 (AIN) 为主晶相的陶瓷。 2、 AIN晶体以〔 AIN4 〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属 六方晶系。 3、化学组成 AI 65.81% ，N34.19% ，比重 3.261g/cm3 ，白色或灰白色，单晶 无色透明，常压下的升华分解温度为 2450 ℃。 4、为一种高温耐热材料。热膨胀系数 (4.0-6.0)X10(-6)
随着大功率模块与电力电子器件的发展,陶瓷表面金属化已得到广泛应用。直接敷铝技术是基于氧化铝陶瓷基板发展起来的一种陶瓷表面金属化技术。在介绍直接敷铝基板的制备方法和性能特点的基础上,重点讨论影响Al-Al2O3润湿性能的因素以及这些因素对氧化铝陶瓷基板敷铝过程的影响,同时展望了DAB基板在功率电子系统、汽车工业等方面的应用前景。
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