介绍了IPM自举电路的基本拓扑结构和原理,并在理论分析的基础上,研究和探讨了自举电阻、自举二极管和自举电容的选型方法,重点对自举电容初始充电展开研究,提出了一种简单实用的初始充电方法,在实际项目应用中取得良好的充电效果。实验结果表明,这种初始充电方法简单、实用、安全可靠,解决了初始充电可能导致IPM上下管直通的问题。
逆变电源作为一种大功率的电源装置,后级驱动电路的共通往往会使H桥场效应管发热甚至烧坏,对逆变系统的性能有着十分重要的影响。分析了芯片ir2110作为后级驱动导致H桥共通产生的原因,同时利用吸收缓冲电路和负压关断电路对逆变电源驱动电路的设计进行了优化,通过专业的电源设计与仿真软件Saber进行了仿真与验证,最终设计出了一种能很好防止共通的H桥驱动电路结构。
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