选择LaFeSi作为基础,在其中添加过渡族元素Co,配制成LaFe11.7-xCoxSi1.3 Bo.25(X =0.6,0.65)系列合金,采用高频磁悬浮感应加热炉进行熔炼,进行热处理,并对样品在1.5T磁场下进行直接测量.结果表明,Co元素的适量添加,对提高居里温度有意义,也可以适当调整材料的绝热温变,对于保持材料的磁热性能有更好的作用.
通过对渗碳陶瓷低温温度传感器在0-16T磁场环境、2-320K温区的磁致电阻效应研究，以及与Cemox磁效应的对比分析，得到以下实验结果：在2-10K，渗碳陶瓷磁效应变化比较明显，随温度的降低而升高，随场强近似正系数线性变化，且温度越低，变化率越大；在2-10K，渗碳陶瓷由磁阻引起的误差为负误差，且场强越高，误差越大，误差随温度出现了近似V字形的变化，在7K处误差到达了最高值，16T、7K处的误差为-0．877K；在2-14K，渗碳陶瓷磁效应明显比CX-1050大，在50-300K渗碳陶瓷磁效应比CX-1050小。
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