半导体 (电子 )及太阳能电池材料的多晶硅 一、概要 1、从锗到硅 锗：融点 960℃ 用石英或炭的容器来熔化。 硅：融点 1420℃ 炭和石英反应生成。（沸点： 2355℃） 最初半导体的产生从生产使用方便的锗材料开始的， 随着技术进步，开始使用了特别显 著性质的硅（从 1965年的硅的生产量超过了锗的生产量） ，用于太阳能电池就从这时开始的。 2、硅的特性 半导体：导体、绝缘物的中间导电物。 导电：有 P型与 N 型。根据温度有所变化， P型 N 型的结合。（P 型：空穴； N 型：电 子） 常温下，本征半导体硅的电导率是 230000Ω·cm，1100℃时为 0.01Ω·cm.纯度为 9个 9 时为 100Ω·cm，10个 9时为 1000Ω·cm。所含杂质越多，导电性越好。 3、高纯度多晶硅的技术变化 进入 1950年开始工业性生产（美国 Du-pont）日本是从进入 1960年代
厦门大学采用氧化锌和硒化锌两种宽带隙半导体材料，成功研制出一种新型太阳能电池，大大稳定了太阳能电池的性能并延长了其使用寿命，在国际上首次实现了宽带隙半导体在太阳能电池中的应用。
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