1 国家科学技术进步奖公示材料 项目名称：功率高压 MOS 器件关键技术与应用 推荐单位意见 推荐意见： 该成果深究功率高压 MOS 器件的耐压与比导通电阻之制约关系， 建立功率高压 MOS器件优化设计理论，其中非全耗尽新模式和 R-阱全域优化法实现功率 MOS 器 件更低比导通电阻；等效衬底模型揭示衬底辅助耗尽效应的物理机制，获得理想衬 底条件提高耐压。 提出横向功率高压 MOS器件衬底终端技术， 解决小曲率导致的低 耐压瓶颈问题。据此，发明并研制出两类新型功率高压 MOS 器件。 该成果创建国内首个功率高压超结 MOS器件量产平台暨全球首个深槽工艺 8英 寸超结 MOS 器件代工平台；建立超低比导通电阻 700V BCD 量产平台和功率高压 SOI量产代工平台。相关工艺平台已为全球 230余家企业提供芯片量产代工服务， 并 为三星、飞利浦等知名整机厂家提供半导体芯片生产服务。应装备急
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