SuperMESH3功率MOSFET主要用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。620V的STx6N62K3是SuperMESH3系列的首款产品,后续产品有620V的STx3N62K3和525V的STX7N52K3和STX6N52K3。SuperMESH3技术可以降低导通电阻,在620V电压下,DPAK封装的STD6N62K3把导通电阻降低到1.28Ω;在525V电压下,STD7N52K3把导通电阻降低到0.98Ω,从而提高节能灯镇流器等照明应用的工作能效。
电源系统开关控制器的 MOSFET 选择 DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。 仅仅考虑 MOSFET 的额定电压 和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内,必须在低 栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。 在多负载电源系统中, 这种情况会变得更加复杂。 如 德州仪器 (TI) 的 WEBENCH? 电源设计师等在线设计工具可以简化这一过程, 让用户能够根 据效率、体积和成本做出正确的选择,从而达到理想的 MOSFET 控制器设计目标。 图 1—降压同步开关稳压器原理图 DC/DC 开关电源因其高效率而广泛应用于现代许多电子系统中。例如,同时拥有一个 高侧 FET和低侧 FET 的降压同步开关稳压器,如图 1 所示。这两个 FET 会根据控制器设 置的占空比进行开关操作,旨在达到理想的输出电压。降压稳压器的占空比方程式如下:
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