利用低压 MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了高性能的 Al Ga N/Ga N二维电子气 (2 DEG)材料 ,室温和 77K温度下的电子迁移率分别为 94 6和 2 5 78cm2 /(V· s) ,室温和 77K温度下 2 DEG面密度分别为 1.3× 10 1 3和 1.2 7×10 1 3cm- 2 .并利用 Al Ga N/Ga N二维电子气材料制造出了高性能的 HEMT器件 ,栅长为 1μm,源漏间距为 4 μm,最大电流密度为 4 85 m A/mm(VG=1V) ,最大非本征跨导为 170 m S/mm(VG=0 V) ,截止频率和最高振荡频率分别为6 .7和 2 4 GHz
LED 衬底蓝宝石用高纯氧化铝工艺情报交流 氧化铝晶体导报 工艺情报交流 记者 李博民 高工 2011-10-20 长 LED蓝宝石的 5N 氧化铝 ，铁必须小于 5pp， 硅小于 5pp， 锆小于 1pp ，钛小于 1pp，铜小于 1ppm，镍小于 1pp，钇、镓，铅、 钾、钠小于 1ppm 否则不能用。 4 个 9 的氧化铝虽然可以长出晶体， 但是由于不是 5n氧化铝，晶体晶棒质量就差一些。 有的长出晶体就透明度不好，不很白，易有粉色、黄色等颜色不纯。 有的即使长出较白的透明晶棒， 但由于纯度不够， 杂质较多， 晶体存在晶格缺陷， 位错大于 1000，造成外延加工时候镀砷化镓晶格位错不准，做出的芯片后 LED不发光，或发光率低， 造成下游客户没法用。 进而后期进而退货影响到晶棒的销售和认可和产品质量长久信誉。 好 的晶棒做出的片、 做出芯片翻发光率高于于 90% 。有的厂家只有 30
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