用第一性原理方法研究了在微观尺度具有三重对称磁结构的IrMn合金的反铁磁自旋阀(AFSV)的电子输运.研究表明:基于有序L12相IrMn合金的Co/Cu/IrMn自旋阀的巨磁电阻(GMR)效应具有三重对称性,可以利用这一特性区分反铁磁材料的GMR与传统铁磁材料的GMR.基于无序γ相IrMn合金的IrMn(0.84nm)/Cu(0.42nm)/IrMn(0.42nm)/Cu(0.42nm)(111)AFSV的电流平行平面构型的GMR约为7.7%,大约是电流垂直平面构型的GMR(3.4%)的两倍,明显大于实验中观测到的基于共线磁结构的FeMn基AFSV的GMR.
根据SiC电阻的伏安特性及灭磁回路拓扑结构，在理想情况下对励磁电流与灭磁时间的函数关系进行了推导并给出了SiC电阻耗能公式，分别对空载误强励和机端三相短路两种极端灭磁工况的灭磁电阻耗能作出了理论分析，依据计算结果提出灭磁电阻容量配置应重点考虑第二种工况。
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