Ⅰ-Ⅴ曲线是最基本也是最重要的表征太阳能电池性能的方法。而在有机小分子器件中,各个界面的物理过程发挥至关重要的作用。因此,着重研究界面物理过程对于Ⅰ-Ⅴ曲线的影响。在实验中证实了S形Ⅰ-Ⅴ曲线来自于ITO/有机界面的衰减,并且提出了一个改良的器件等效电路模型。进一步地,在ITO/有机界面处插入MoO_x层会显著地抑制界面势垒的产生,避免了S形Ⅰ-Ⅴ曲线的出现,从而极大地延长了器件的寿命。还发现给体材料CuPc与受体材料C_(60)中激子产生的光电流对负向偏压的响应完全不同,通过实验提出了在C_(60)层中三态激子-电子相互作用是导致这个现象的主要物理机制。
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