军用红外探测器需要使用工作在各种红外波段的大规格、高均匀性多色焦平面阵列器件。满足这些要求的一个候选者就是量子阱红外(光电)探测器(Quantum Well Infrared Photodetector,QWIP)。作为新一代红外探测器,QWIP基于极薄半导体异质结构中的载流子束缚效应。GaAs/AlGaAs/QWIP的主要优点包括标准的Ⅲ-Ⅴ族衬底材料和技术、良好的热稳定性、大面积、低研发成本以及抗辐射性。QWIP的另一个重要优点是具有带隙工程能力。可以通过调节量子阱宽度和势垒组分设计出满足特殊要求(例如多色焦平面列阵应用)的器件结构。介绍了对QWIP探测物理机制的理解以及近年来多色QWIP技术的发展状况。
82英寸液晶面板用LED背照灯由美国欧司朗光半导体(OSRAM Opto Semiconductors)开发成功，并在“2005年显示信息学会(SID2005)”上举办的展览会上首次公开了样品。总计使用了1120个LED，其中包括红色和蓝色LED各280个以及560个绿色LED，配合使用散光板与散光膜，实现了1万cd／m^2的亮度。LED芯片上设计了用于扩展光线出射方向的山形透镜。此次试制的背照灯装置，厚度为40mm，LED耗电量约为1000W，工作温度范围为-40～+85℃。
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