军用红外探测器需要使用工作在各种红外波段的大规格、高均匀性多色焦平面阵列器件。满足这些要求的一个候选者就是量子阱红外(光电)探测器(Quantum Well Infrared Photodetector,QWIP)。作为新一代红外探测器,QWIP基于极薄半导体异质结构中的载流子束缚效应。GaAs/AlGaAs/QWIP的主要优点包括标准的Ⅲ-Ⅴ族衬底材料和技术、良好的热稳定性、大面积、低研发成本以及抗辐射性。QWIP的另一个重要优点是具有带隙工程能力。可以通过调节量子阱宽度和势垒组分设计出满足特殊要求(例如多色焦平面列阵应用)的器件结构。介绍了对QWIP探测物理机制的理解以及近年来多色QWIP技术的发展状况。
据国外媒体报道5月14日,日本LED大厂日亚化学工业(NichiaCorp.)宣布,已向英国相关机构正式递状控告韩国首尔半导体(SeoulSemiconductor)及于英国贩卖首尔半导体产品的AvnetEMGLtd两家公司贩卖的产品,侵犯了日亚的专利权。日亚称,日亚这次控告首尔半导体侵权的对象,为首尔半
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