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更新时间:2026.10.31
碳化硅专利分析-单晶,晶片和外延片制造研究报告

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北京佐思信息咨询有限责任公司 Beijing OKOKOK Information Consulting Co.,Ltd 北京佐思 www.okokok.com.cn 地址:北京市海淀区长远天地 C座 3-502 #, 100080 碳化硅专利分析 -单晶,晶片和外延片制造研究报告 ——SiC Patent Analysis single crystal, wafer and epiwafer manufacturing 1772 patent families to support a $80M business in 2012 ⋯ 1772 PATENT FAMILIES TO SUPPORT A $80M BUSINESS IN 2012⋯ Despite a cumulative raw wafers + epi wafers market that won’t exceed

利用斜探头在管道中选取纵向模态的实验研究

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对利用斜探头激励和接收高阶纵向模态进行了实验研究。通过Snell定理和超声导波的相速度频散曲线选择斜探头的入射角和激励频率,可以激励所需的高阶纵向模态。但随着模态阶次和激励频率的增加,对单一模态的控制也变得更加困难。同时,实验分析了激励斜探头个数对模态选取的影响,说明通过增加斜探头的个数来抑制弯曲模态是十分必要的。

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